壹、儀器設備說明 (規格)：

Nitride chamber:

1. heater temperature range up to 1300 ℃
2. Major sources : Ga, In and Al
3. Doping sources : Mn, Si and Mg
4. N2 source: RF plasma
5. RHEED system
6. Thickness monitor

Oxide chamber:

1. heater temperature range up to 1300 ℃
2. pulse laser system
   1. pulse energy: 400 mJ
   2. wavelength: 248nm
   3. average power: 7W
   4. max rep. rate: 20Hz
   5. with cooling system

Metal chamber:

1. heater temperature range up to 1300 ℃
2. 2 DC Magnetron sputter gun (4 inch target)
3. 2 RF Magnetron sputter gun (4 inch target) and RF generator
4. Thickness monitor

Linear transfer chamber:

1. In-situ transfer between Nitride, oxide and metal chambers
2. base pressure < 10-9 torr

貳、服務項目：

委代工製備高品質磊晶氮、氧化物薄膜及金屬多層膜。

參、取樣、使用應注意事項：

1. 預約時應填寫委託代工單，詳細填寫樣品參數，包含：薄膜厚度、成長溫度、成長壓力以及材料。若有任何特殊需求應事先與管理人員討論樣品製作規格與細節。
2. 應於委託代工7日前將試片送交管理人員，以利樣品傳送與準備。
3. 委託代工人需自備氧化物靶材(規格：直徑20mm，厚度3~5mm)及基板 金屬濺鍍所用之靶材種類應事先與管理人員討論是否由核心設施提供或自備
4. 若違反上述規定者，恕不代工製備。
5. 鍍材若易揮發或易污染其他靶源，將不予代工。

肆、使用時段與預約：

應於預計代工時程14天前到儀設中心(上網)預約。
每周一二三09:00-17:00開放代工，未來視成長需要再放其他代工時間。

伍、訓練課程規定辦法：

因本精密儀器操作之特殊工藝要求，不開放自行操作，暫無提供訓練課程。請委託代工人依規定預約代工。如欲參與磊晶過程，請與儀器管理人事先聯絡。

陸、收費辦法及標準(含訓練課程)：

校內學術:

1. 無單位配合款： 800元/時
2. 有單位配合款
   1. 400元/時
   2. 其他 (IIAS)

校外學術：1200元/時
業界：1600元/時

柒、儀器聯絡與管理人：

聯絡人：劉昇旭　諮詢教授：黃榮俊

分機：65266　　分機：65266

儀器放置地點：儀設大樓1樓0113室

捌、其他注意事項：

本關鍵性核心設施、技術及服務平台為國科會整合型計畫，主要發展新穎氮氧化物及金屬材料晶體，在學術或應用上具關鍵性，且具國際之製備技術水準，能提供國內、外學界或業界之需求，加入後可與現有超高真空二維移動遮罩式雷射分子束磊晶鍍膜系統共同於儀設中心整合服務。
核心設施維護承諾：
本設施將由成功大學儀器設備中心與本計畫主持人共同維護與管理，除儀器使用管理，系統維護也會以本計畫團隊各實驗室負責人一同負起維護工作，並協助此設備的發展。