http://doi.org/10.1002/advs.202508148

國立成功大學物理系黃榮俊教授與國家同步輻射研究中心（NSRRC）研究人員合作，歷時多年深入研究，成功解開稀磁半導體材料中室溫鐵磁性的關鍵謎團。該研究成果已於兩日前獲國際頂尖期刊《Advanced Science》正式接受，彰顯台灣在材料物理與先進光譜技術領域的國際領先地位。

研究團隊針對Co摻雜氧化鋅（Co:ZnO）薄膜進行實驗，首次利用極化硬X光光電子能譜（HAXPES）觀察到一條具有「s軌域特性」的施體能帶穿越費米能階，顯示出金屬導電特性，並與Co²⁺磁矩產生耦合，實現室溫鐵磁性。這項發現證實由Zn 4s電子主導的施體能帶在鐵磁性形成中扮演關鍵角色，填補過去理論假說與實驗證據之間的空白。

本研究成果不僅澄清氧化物稀磁半導體中高居里溫度的起源，更對未來發展室溫運作的自旋電子裝置、2D磁性材料具有重大啟發意義。此研究由成功大學、國家同步輻射中心與SPring-8實驗室共同合作完成，並獲國科會專案（NSTC 113-2124-M-006-001）支持，為台灣在國際材料科學領域再添亮眼一筆。

＊黃榮俊教授於共儀平台提供服務之儀器：https://cis-cfc.ncku.edu.tw/p/412-1209-31366.php?Lang=zh-tw