E03超高真空分子束磊晶及三維拓樸材料成長核心設施(Molecular Beam Epitaxy System)
E03超高真空分子束磊晶及三維拓樸材料成長核心設施
(Molecular Beam Epitaxy System)
壹、儀器設備說明 (規格)：
In MBE system, we put material in Knudsen cell (K-cell), which heat the material source indirectly by tungsten filament to effuse the material. While the molecular beam contact with the substrate, molecules without polarities will induce some dipole moment by thermal disturbance and this weak polarity will deposit on the substrate. On the other hand, molecules with polarities will possess stronger adsorb ability.
貳、服務項目：
委託代工製備高品質三維拓樸材料薄膜。
參、取樣、使用應注意事項：
1、預約時應填寫委託代工單，詳細填寫樣品參數，參數如下：基板材料、基板尺寸、成長材料、薄膜厚度、樣品數目、保護層有無。蒸鍍源有Bismuth、Selenium、Tellurium、Antimony四種金屬。
2、應於委託代工7日前將樣品交付儀器管理人。
3、代工一天，僅能成長一批樣品，依據時段長短計費。
4、如違反上述規定者，恕不予代工。
肆、使用時段與預約：
1、應於預計代工時程14天前到儀設中心網站預約。
2、每周一、二 09:00-17:00開放代工。
伍、訓練課程規定辦法：
因本精密儀器操作之特殊工藝要求，不開放自行操作，暫無提供訓練課程。請委託代工人依規定預約代工。如欲參與磊晶過程，請與儀器管理人事先聯絡。
陸、收費辦法及標準(含訓練課程)：
校內學術(有單位配合)：2000元/小時。
校內學術(無單位配合)：2500元/小時。
校外學術：3000元/小時。
業界：4000元/小時。
柒、儀器聯絡與管理人：
聯絡人：許家傑 分機：31363#209
諮詢教授：黃榮俊 分機：65266
儀器放置地點：儀設大樓1樓0113室
捌、其他注意事項：
核心設施維護承諾：本實驗室之MEB有其下列幾項優點：
1、提供臨場下的RHEED
2、基板可控制在室溫到1200℃ 的範圍內
3、擁有良好的膜厚及組成控制
4、可形成高純度的磊晶薄膜
5、可得到原子尺度的平坦面
核心設施維護承諾：
本設施將由成功大學儀器設備中心與本計畫主持人共同維護與管理，除儀器使用管理，系統維護也會以本計畫團隊各實驗室負責人一同負起維護工作，並協助此設備的發展。