儀器中文全名

E03 超高真空分子束磊晶及三維拓樸材料成長核心設施

儀器英文全名

E03 Molecular Beam Epitaxy System

儀器位置

儀器設備大樓1樓 0113室

單位／教授

物理系（所）／黃榮俊 特聘教授

儀器管理人

黃子泰

TEL

(06) 275-7575轉31363轉209

E-mail

L28131061@gs.ncku.edu.tw

技術類別

¢前段製程：

£微影　¢鍍膜　£蝕刻　£擴散　£化學機械研磨

£表面分析：

£電子能譜儀　£表面特性

£後段製程：

£晶圓針測　£晶圓切割　£黏晶　£打線接合　£封膠

£掃描探針：

£顯微系統　£機械性質　

£形貌分析

£電子顯微：

£SEM　£TEM　£樣品製備

£物理性質：

£磁性　£熱分析　£電學

£光學檢測：

£光譜儀　£顯微形貌分析

£生物醫學：

£分析　£樣品製備

£晶相分析：

£XRD

¢其他：

¢工程樣品製備　£材料力學　

£電腦計算

£分析化學：

£核磁共振儀　£質譜／層析

應用／功能

簡介

在分子束外延（MBE）系統中，材料被放置在克努森（Knudsen）蒸發源（K-cell）內，並通過鎢絲間接加熱材料源，使材料以分子束的形式逸出。當分子束與基板接觸時，無極性分子會因熱擾動而誘發一些偶極矩，這種弱極性會使其沉積在基板上，有極性的分子則會具有更強的吸附能力。

廠牌／型號

廠牌：Adnano-Tech                              　

型號：MBE-9

重要規格

• 高純度材料生長：MBE系統在超高真空環境下操作，能有效減少雜質的引入，實現高純度的材料生長。
• 精確的厚度控制：MBE能以單原子層的精度控制材料的沉積，適合製作極薄層的半導體或量子結構。
• 異質結構製備：MBE技術可以在不同材料之間形成精確的異質結構，例如量子井、量子點等，有利於製備高性能的電子和光電子器件。
• 低生長溫度：相比其他外延技術，MBE可以在相對較低的溫度下生長晶體，有助於減少高溫引起的缺陷和擴散現象。
• 準原子級別的界面品質：MBE能夠生長非常光滑的界面，這對於提高器件性能尤為重要，特別是在微電子和光電子領域。
• 即時監控與調整：透過如反射高能電子衍射（RHEED）等技術，能即時監測材料生長過程，實現精確控制與動態調整。
• 成長條件 : 基板溫度可達1200攝氏度，製程中真空度<5E-10 Torr，一批製程最大可放入一片兩吋基板。

取樣／使用

注意事項

• 預約時應填寫委託代工單，詳細填寫樣品參數，參數如下：基板材料、基板尺寸、成長材料、薄膜厚度、樣品數目、保護層有無。蒸鍍源有Bismuth、Selenium、Tellurium、Antimony、Chromium五種金屬。
• 應於委託代工2日前將樣品交付儀器管理人。
• 代工前請先與指導教授與管理人討論樣品需求以及生長條件。
• 開放異質結構樣品代工，需提供基材。
• 使用共用儀器設備所取得之各項量測數據，不得用於營利用途、廣告標示、訴訟上證據等其他用途。

開放時段

須於預計代工時程7天前預約

訓練課程規定

因本精密儀器操作之特殊工藝要求，不開放自行操作，暫無提供訓練課程。請委託代工人依規定預約代工。如欲參與磊晶過程，請與儀器管理人事先聯絡。

收費標準（含訓練課程）

校內學術：1500元／時

校外學術：2000元／時

業界：4000元／時

預約系統

https://cis.cfc.ncku.edu.tw/apparatus/index.php