E03超高真空分子束磊晶及三維拓樸材料成長核心設施

E03 Molecular Beam Epitaxy System

壹、儀器設備規格

在分子束外延（MBE）系統中，材料被放置在克努森（Knudsen）蒸發源（K-cell）內，並通過鎢絲間接加熱材料源，使材料以分子束的形式逸出。當分子束與基板接觸時，無極性分子會因熱擾動而誘發一些偶極矩，這種弱極性會使其沉積在基板上，有極性的分子則會具有更強的吸附能力。並且舉有以下優點

高純度材料生長：MBE系統在超高真空環境下操作，能有效減少雜質的引入，實現高純度的材料生長。

精確的厚度控制：MBE能以單原子層的精度控制材料的沉積，適合製作極薄層的半導體或量子結構。

異質結構製備：MBE技術可以在不同材料之間形成精確的異質結構，例如量子井、量子點等，有利於製備高性能的電子和光電子器件。

低生長溫度：相比其他外延技術，MBE可以在相對較低的溫度下生長晶體，有助於減少高溫引起的缺陷和擴散現象。

準原子級別的界面品質：MBE能夠生長非常光滑的界面，這對於提高器件性能尤為重要，特別是在微電子和光電子領域。

即時監控與調整：透過如反射高能電子衍射（RHEED）等技術，能即時監測材料生長過程，實現精確控制與動態調整。

成長條件 : 基板溫度可達1200攝氏度，製程中真空度< 5E^-10 Torr，一批製程最大可放入一片2吋基板。

貳、服務項目

代工製備高品質拓樸材料薄膜、二維材料（TMDCs）

參、取樣與使用注意事項

1. 預約時應填寫委託代工單，詳細填寫樣品參數，參數如下：基板材料、基板尺寸、成長材料、薄膜厚度、樣品數目、保護層有無。蒸鍍源有Bismuth、Selenium、Tellurium、Antimony、Chromium五種金屬。
2. 應於委託代工7日前將樣品交付儀器管理人。
3. 代工前請先與指導教授與管理人討論樣品需求以及生長條件。
4. 開放異質結構樣品代工，需提供基材。

肆、開放時段

每週一、二，9:00～17:00開放代工

須於預計代工時程14天前預約

伍、訓練課程規定

因本精密儀器操作之特殊工藝要求，不開放自行操作，暫無提供訓練課程。請委託代工人依規定預約代工。如欲參與磊晶過程，請與儀器管理人事先聯絡。

陸、收費標準（含訓練課程）※

校內學術（有單位配合）：1500元／時

校內學術（無單位配合）：1500元／時

校外學術：2000元／時

業界：4000元／時

柒、儀器聯絡與管理人

聯絡人 : 黃子泰　  

信箱：L28131061@gs.ncku.edu.tw

分機：65266

諮詢教授：黃榮俊  

分機：65266

信箱：jcahuang@mail.ncku.edu.tw

儀器放置地點：儀設大樓1樓0113室

捌、其他注意事項

1. 本設施將由成功大學儀器設備中心與本計畫主持人共同維護與管理，除儀器使用管理，系統維護也會以本計畫團隊各實驗室負責人一同負起維護工作，並協助此設備的發展。
2. 使用共用儀器設備所取得之各項量測數據，不得用於營利用途、廣告標示、訴訟上證據等其他用途。